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DMC2990UDJ
1.2
1.0
0.8
I D = 1mA
1.0
0.8
0.6
T A = 25°C
0.6
I D = 250μA
0.4
0.4
0.2
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE( ? C)
Fig. 7 Gate Threshold Variationvs.AmbientTemperature
50
0
1,000
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE- DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diodes Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
40
T A = 150°C
100
30
20
10
C oss
C iss
10
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
8
0
C rss
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
20
1
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
1
R DS(on)
Limited
DC
6
4
0.1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 100μs
P W = 10μs
P W = 1ms
0.01
2
V DS = 10V
T J(MAX) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
Q G - (nC)
Fig. 11 Gate Charge Characteristics
1
0.001
0.1
1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
100
DMC2990UDJ
Document number: DS35481 Rev. 9 - 2
5 of 9
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
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